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SI5857DU-T1-E3

更新时间： 2024-10-30 21:20:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
12页 177K
描述
Transistor

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SI5857DU-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：10.4 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

SI5857DU-T1-E3 数据手册

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Si5857DU  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
MOSFET PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
I
D (A)a  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
0.058 at VGS = - 4.5 V  
0.100 at VGS = - 2.5 V  
LITTLE FOOT® Plus Power MOSFET  
New Thermally Enhanced PowerPAK®  
ChipFET® Package  
6
6
•
•
- 20  
5.5 nC  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
- Small Footprint Area  
- Low On-Resistance  
- Thin 0.8 mm Profile  
VF (V)  
VKA (V)  
Diode Forward Voltage  
IF (A)a  
•
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
20  
0.375 at 1 A  
2
PowerPAK® ChipFET® Dual  
APPLICATIONS  
•
Charging Switch for Portable Devices  
- With Integrated Low VF Trench Schottky Diode  
Marking Code  
XXX  
1
JA  
A
2
Lot Traceability  
S
K
and Date Code  
A
3
Part # Code  
K
8
S
4
K
7
G
G
D
6
D
5
D
A
Bottom View  
Ordering Information: Si5857DU-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage (MOSFET)  
Reverse Voltage (Schottky)  
Gate-Source Voltage (MOSFET)  
VDS  
VKA  
V
VGS  
12  
6a  
6a  
- 5b, c  
- 4b, c  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) (MOSFET)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Pulsed Drain Current (MOSFET)  
IDM  
IS  
- 20  
- 6a  
1.9b, c  
A
T
C = 25 °C  
Continuous Source Current (MOSFET Diode Conduction)  
TA = 25 °C  
Average Forward Current (Schottky)  
Pulsed Forward Current (Schottky)  
IF  
2
IFM  
7
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
10.4  
6.7  
PD  
Maximum Power Dissipation (MOSFET)  
Maximum Power Dissipation (Schottky)  
W
2.3b, c  
1.5b, c  
7.8  
T
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
5
PD  
W
2.1b, c  
1.3b, c  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendation (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
260  
Document Number: 73696  
S09-2111-Rev. D, 12-Oct-09  
www.vishay.com  
1
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与SI5857DU-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI5857DU-T1-GE3 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5858DU VISHAY

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 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI5858DU-T1-E3 VISHAY

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