SI3433

更新时间： 2024-11-05 22:33:51

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	45K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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SI3433 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3433 数据手册

Si3433

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.042 @ V = -4.5 V

-5.6

-4.8

-4.1

-20

0.057 @ V = -2.5

0.080 @ V = -1.8

(4) S

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(1, 2, 5, 6) D

2.85 mm

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

= 25_C

= 85_C

-4.3

-3.1

-5.6

-4.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-20

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

-1.7

2.0

-0.9

1.1

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

1.0

0.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71160

S-00624—Rev. A, 03-Apr-00

www.vishay.com

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