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SI3433BDV-T1

更新时间： 2024-11-25 20:41:35

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威世 - VISHAY		/
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6页	82K
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Transistor

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SI3433BDV-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI3433BDV-T1 数据手册

Si3433BDV

Vishay Siliconix

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.042 @ V = −4.5 V

−5.6

−4.8

−4.1

−20

0.057 @ V = −2.5

0.080 @ V = −1.8

TSOP-6

Top View

(4) S

(3) G

3 mm

2.85 mm

(1, 2, 5, 6) D

Ordering Information: Si3433BDV-T1

P-Channel MOSFET

Si3433BDV-T1—E3 (Lead Free)

Marking Code:

B3xxx

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

= 25_C

= 85_C

−4.3

−3.1

−5.6

−4.1

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−20

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

−1.7

2.0

−0.9

1.1

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

1.0

0.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72027

S-40575—Rev. C, 29-Mar-04

www.vishay.com

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SI3433BDV-T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI3433BDV-T1-GE3	VISHAY	功能相似	TRANSISTOR 4300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL

与SI3433BDV-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI3433BDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI3433BVD	VISHAY	获取价格	Transistor
SI3433CDV	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3433CDV-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3433CDV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3433DV	VISHAY	获取价格	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI3434DV	VISHAY	获取价格	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3434DV-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3434DV-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET
SI3434DV-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 4600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL