5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI3422DV-T1
SI3422DV-T1 PDF预览

SI3422DV-T1

更新时间： 2024-11-21 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI3422DV-T1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：0.31 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3422DV-T1 数据手册

 浏览型号SI3422DV-T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI3422DV-T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI3422DV-T1的Datasheet PDF文件第4页 
                                                                                                                           
_C/W  
Si3422DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
200  
5 @ V = 10 V  
GS  
"0.42  
(1, 2, 5, 6) D  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
(4) S  
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
200  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
"0.42  
"0.34  
"0.31  
"0.25  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
Avalanche Current  
I
"0.75  
"0.75  
0.028  
"1  
DM  
I
AS  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy  
E
AS  
mJ  
A
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.1  
1.14  
0.73  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.34  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
90  
35  
60  
110  
42  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Maximum Junction-to-Foot  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71098  
S-99344—Rev. A, 22-Nov-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
1234

中文翻译

下载PDF

与SI3422DV-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3424BDV VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3424BDV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3424CDV VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 8000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND
SI3424DV VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3424DV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET
SI3424DV-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
Si3429EDV VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI3430DV VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI3430DV_08 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

与SI3422DV-T1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证