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SI3422DV-T1

更新时间： 2024-11-06 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	53K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6

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SI3422DV-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.31 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI3422DV-T1 数据手册

_C/W

Si3422DV

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

200

5 @ V = 10 V

"0.42

(1, 2, 5, 6) D

TSOP-6

Top View

(3) G

3 mm

(4) S

2.85 mm

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

200

"20

= 25_C

= 70_C

"0.42

"0.34

"0.31

"0.25

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Avalanche Current

"0.75

0.028

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.1

1.14

0.73

Maximum Power Dissipation

1.34

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71098

S-99344—Rev. A, 22-Nov-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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