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SI3424CDV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 20:05:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	221K
描述
TRANSISTOR 8000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-5/6, FET General Purpose Small Signal

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SI3424CDV-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	5/6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.49	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-193AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.6 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3424CDV-T1-GE3 数据手册

Si3424CDV

Vishay Siliconix

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)^{a, b}

Q_g(Typ.)

Definition

•

TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

0.026 at V_GS= 10 V

0.032 at V_GS= 4.5 V

4.2

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Load Switch for Portable Devices

•

DC/DC Converters

TSOP-6

Top View

(1, 2, 5, 6)

Marking Code

BC XX

3 mm

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

(3)

2.85 mm

(4)

Ordering Information: Si3424CDV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

8^a

7.7

7.2^{c, d}

5.7^{c, d}

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current (t = 300 µs)

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

1.7^{c, d}

3.6

2.3

P_D

Maximum Power Dissipation

2.0^{c, d}

1.3^{c, d}

_A= 25 °C

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambient^e

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

t 5 s

Steady State

62.5

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Package limited.

b. Based on T_C= 25 °C.

c. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

d. t = 5 s.

e. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.

Document Number: 67443

S11-0863-Rev. A, 02-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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