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SI3424DV-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 20:36:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 180K
描述
TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3424DV-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.67配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI3424DV-T1-E3 数据手册

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Si3424DV  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
6.7  
Definition  
0.028 at VGS = 10 V  
0.038 at VGS = 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
30  
5.7  
TSOP-6  
Top View  
(1, 2, 5, 6) D  
1
2
3
6
3 mm  
5
4
(3) G  
2.85 mm  
(4) S  
Ordering Information: Si3424DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3424DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
30  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
6.7  
5.4  
5.0  
4.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.7  
2.0  
1.3  
1.0  
TA = 25 °C  
1.14  
0.73  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
40  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
90  
110  
°C/W  
RthJF  
25  
30  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71317  
S09-0766-Rev. C, 04-May-09  
www.vishay.com  
1
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SI3424DV-T1-E3 替代型号

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