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SI3430DV-E3 PDF预览

SI3430DV-E3

更新时间： 2024-11-05 21:14:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 56K
描述
TRANSISTOR 1800 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3430DV-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.2配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.14 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3430DV-E3 数据手册

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_C/W  
Si3430DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.170 @ V = 10 V  
2.4  
2.3  
GS  
100  
0.185 @ V = 6.0 V  
GS  
(1, 2, 5, 6) D  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
(4) S  
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
100  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
2.4  
1.7  
1.8  
1.3  
A
a
Continuous Drain Current (T = 175_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
8
6
DM  
Avalanche Current  
I
AR  
L = 0.1 mH  
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v1%)  
E
AR  
1.8  
mJ  
A
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2.0  
1.0  
1.0  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
1.14  
0.59  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
45  
90  
25  
62.5  
110  
30  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71235  
S-01280—Rev. A, 19-Jun-00  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
2-1  
1234

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与SI3430DV-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3430DV-T1 VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI3430DV-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 1800 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FE
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 		TRANSISTOR 1800 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
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