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SI3424DV

更新时间： 2024-11-06 06:11:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI3424DV 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI3424DV 数据手册

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Si3424DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.028 @ V = 10 V  
6.7  
5.7  
GS  
30  
0.038 @ V = 4.5 V  
GS  
(1, 2, 5, 6) D  
TSOP-6  
Top View  
1
2
3
6
5
(3) G  
3 mm  
4
(4) S  
2.85 mm  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
6.7  
5.4  
5.0  
4.0  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.7  
2.0  
1.3  
1.0  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
1.14  
0.73  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
40  
90  
25  
62.5  
110  
30  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71317  
S-02157—Rev. A, 02-Oct-00  
www.vishay.com  
1
1234

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SI3424DV 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3424DV-T1-E3 VISHAY

功能相似

 TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET
SQ3460EV-T1_GE3 VISHAY

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BSL302SNL6327HTSA1 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3424DV-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET
SI3424DV-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
Si3429EDV VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI3430DV-E3 VISHAY

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SI3430DV-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 1800 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FE
SI3430DV-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 1800 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
SI3430DY VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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