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SI3420DV-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 90K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI3420DV-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.37 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SI3420DV-T1-E3 数据手册

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Si3420DV  
Vishay Siliconix  
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D 100% Rg Tested  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
200  
3.7 @ V = 10 V  
0.5  
GS  
TSOP-6  
Top View  
(1, 2, 5, 6) D  
1
2
3
6
3 mm  
5
4
(3) G  
2.85 mm  
(4) S  
Ordering Information: Si3420DV-T1  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
200  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
0.5  
0.4  
0.37  
0.29  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
Avalanche Current  
I
1
1
DM  
I
AS  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy  
E
AS  
0.05  
1
mJ  
A
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.1  
1.14  
0.73  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.34  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
90  
35  
60  
110  
42  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJF  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71097  
S-31725—Rev. B, 18-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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