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SI1413DH-T1-E3

更新时间： 2024-09-11 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 236K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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SI1413DH-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.115 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI1413DH-T1-E3 数据手册

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Si1413DH  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 2.9  
- 2.4  
- 2.0  
Definition  
0.115 at VGS = - 4.5 V  
0.155 at VGS = - 2.5 V  
0.220 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs: 1.8 V Rated  
Thermally Enhanced SC-70 Package  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 20  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switching  
PA Switch  
Level Switch  
SOT-363  
SC-70 (6-LEADS)  
D
D
G
1
2
3
6
D
D
S
Marking Code  
BC XX  
5
4
Lot Traceability  
and Date Code  
Part # Code  
Top View  
Ordering Information: Si1413DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si1413DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
- 2.9  
- 2.0  
- 2.3  
- 1.6  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 8  
Continuous Diode Current (Diode Conduction)a  
- 1.4  
1.56  
0.81  
- 0.9  
1.0  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.52  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
60  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
80  
125  
45  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
100  
34  
°C/W  
RthJF  
Note:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 71878  
S10-0935-Rev. B, 19-Apr-10  
www.vishay.com  
1
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与SI1413DH-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI1413DH-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI1413EDH VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1413EDH_05 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1413EDH_08 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1413EDH-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 2300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PI
SI1413EDH-T1-GE3 VISHAY

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