Datasheet > SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3

更新时间： 2024-11-05 22:58:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	108K
描述
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI1413EDH-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.3 A
最大漏极电流 (ID)：	2.3 A	最大漏源导通电阻：	0.115 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.56 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN (SN)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

SI1413EDH-T1-GE3 数据手册

Si1413EDH

Vishay Siliconix

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 2.9

- 2.4

- 2.0

Definition

TrenchFET^®Power MOSFET: 1.8 V Rated

ESD Protected: 3000 V

Thermally Enhanced SC-70 Package

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

0.115 at V_GS= - 4.5 V

0.155 at V_GS= - 2.5 V

0.220 at V_GS= - 1.8 V

•

- 20

APPLICATIONS

•

Load Switching

PA Switch

Level Switch

SOT-363

SC-70 (6-LEADS)

3 k

Marking Code

BA XX

Lot Traceability

and Date Code

Part # Code

Top View

Ordering Information: Si1413EDH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si1413EDH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

5 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 20

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 85 °C

- 2.9

- 2.0

- 2.3

- 1.6

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

Pulsed Drain Current

Continuous Diode Current (Diode Conduction)^a

I_DM

I_S

- 8

- 1.4

1.56

0.81

- 0.9

1.0

T_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_A= 85 °C

0.52

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 s

125

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

100

°C/W

R_thJF

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

Document Number: 71396

S10-0935-Rev. B, 19-Apr-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

SI1413EDH-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI1413EDH-T1-E3	VISHAY	类似代替	TRANSISTOR 2300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PI

与SI1413EDH-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI1414DH	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI1416EDH	VISHAY	获取价格	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI1416EDH-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
SI1417DH	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI1417DH-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2700 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P
SI1417DH-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0027A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SI1417DH-T1-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0027A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
SI1417EDH	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI1417EDH_08	VISHAY	获取价格	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI1417EDH-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2700 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-70, 6 PIN, FET General P

与SI1413EDH-T1-GE3相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3 技术参数

SI1413EDH-T1-GE3 数据手册

SI1413EDH-T1-GE3 替代型号

与SI1413EDH-T1-GE3相关器件

与SI1413EDH-T1-GE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3 技术参数

SI1413EDH-T1-GE3 数据手册

SI1413EDH-T1-GE3 替代型号

与SI1413EDH-T1-GE3相关器件

与SI1413EDH-T1-GE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？