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SEMIX302KH16S

更新时间： 2024-01-13 03:10:44
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 313K
描述
Rectifier Thyr./Diode Module

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SEMIX302KH16S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, X-XUFM-X6针数：6
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大直流栅极触发电流：200 mA
最大直流栅极触发电压：3 V快速连接描述：G-GR
螺丝端子的描述：A-K-2AK最大维持电流：500 mA
JESD-30 代码：X-XUFM-X6最大漏电流：75 mA
通态非重复峰值电流：9300 A元件数量：1
端子数量：6最大通态电流：300000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：471 A
断态重复峰值电压：1600 V重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR

SEMIX302KH16S 数据手册

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SEMiX302KH16s  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Chip  
Values  
Unit  
Tc = 85 °C  
Tc = 100 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 130 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 130 °C  
IT(AV)  
300  
230  
A
A
sinus 180°  
ITSM  
9300  
A
10 ms  
8000  
A
i2t  
432000  
320000  
1700  
A2s  
A2s  
V
10 ms  
SEMiX® 2s  
VRSM  
VRRM  
VDRM  
1600  
V
1600  
V
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
(di/dt)cr  
(dv/dt)cr  
Tj  
130  
A/µs  
V/µs  
°C  
1000  
Rectifier Thyr./Diode Module  
SEMiX302KH16s  
-40 ... 130  
Module  
Tstg  
-40 ... 125  
4000  
°C  
V
1 min  
1 s  
Visol  
Features  
AC sinus 50Hz  
4800  
V
• Terminal height 17 mm  
• Chips soldered directly to isolated  
substrate  
Characteristics  
Typical Applications*  
• Input Bridge Rectifier for AC/DC motor  
control  
• Power supply  
Symbol Conditions  
Chip  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Tj = 25 °C, IT = 900 A  
VT  
1.7  
0.85  
1.1  
V
Tj = 130 °C  
Tj = 130 °C  
VT(TO)  
rT  
IDD;IRD  
tgd  
V
mΩ  
mA  
µs  
Tj = 130 °C, VDD = VDRM; VRD = VRRM  
Tj = 25 °C, IG = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
VD = 0.67 * VDRM  
Tj = 130 °C  
75  
1
tgr  
2
µs  
tq  
150  
150  
300  
µs  
Tj = 25 °C  
IH  
500  
mA  
mA  
V
Tj = 25 °C, RG = 33 Ω  
Tj = 25 °C, d.c.  
IL  
1000  
VGT  
IGT  
3
Tj = 25 °C, d.c.  
200  
mA  
V
Tj = 130 °C, d.c.  
VGD  
IGD  
Rth(j-c)  
0.25  
10  
Tj = 130 °C, d.c.  
mA  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
K/W  
per thyristor  
per module  
per thyristor  
sin. 180°  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
0.091  
0.091  
per module  
per thyristor  
per module  
Module  
Rth(c-s)  
per chip  
K/W  
K/W  
Nm  
per module  
0.045  
250  
Ms  
Mt  
a
to heat sink (M5)  
to terminals (M6)  
3
5
5
2.5  
Nm  
5 * 9,81 m/s2  
w
g
KH  
© by SEMIKRON  
Rev. 34 – 25.03.2010  
1
1234

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