Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX303GD12E4C

SEMIX303GD12E4C

更新时间： 2024-02-13 00:33:07

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
5页	371K
描述
Trench IGBT Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMIX303GD12E4C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17	针数：	29
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	466 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X17	元件数量：	6
端子数量：	17	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	648 ns
标称接通时间 (ton)：	273 ns	VCEsat-Max：	2.05 V
Base Number Matches：	1

SEMIX303GD12E4C 数据手册

SEMiX303GD12E4c

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

466

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

359

I_Cnom

300

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

900

V_GES

-20 ... 20

SEMiX^®33c

Trench IGBT Modules

SEMiX303GD12E4c

Features

V_CC= 800 V

V_GE≤ 20 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

338

252

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

300

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

900

1485

• Homogeneous Si

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• UL recognised file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic Welding

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Remarks

• Case temperature limited to T_C=125°C

max.

I_C= 100 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.8

2.2

2.05

2.4

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

3.3

5.0

5.8

0.1

0.9

0.8

3.8

5.3

6.5

0.3

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 11.4 mA

T_j= 25 °C

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

18.5

1.22

1.03

1695

2.50

213

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 150 °C

V_CC= 600 V

I_C= 300 A

E_on

t_d(off)

t_f

29.4

535

R_{G on}= 1.8 Ω

_{G off}= 1.8 Ω

113

di/dt_on= 4840 A/µs

di/dt_off= 2980 A/µs

E_off

R_th(j-c)

41.8

K/W

per IGBT

0.095

Rev. 4 – 16.12.2009

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SEMIX303GD12E4C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX303GD12E4C_10	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12T4C	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX303GD12VC	SEMIKRON	获取价格	High short circuit capability
SEMiX305GD07E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,
SEMiX305MLI12E4V2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
SEMiX305TMLI17E4C	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX341D	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Module (uncontrolled)
SEMIX341D16S	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Module (uncontrolled)

与SEMIX303GD12E4C相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMIX303GD12E4C

SEMIX303GD12E4C 技术参数

SEMIX303GD12E4C 数据手册

与SEMIX303GD12E4C相关器件

与SEMIX303GD12E4C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMIX303GD12E4C

SEMIX303GD12E4C 技术参数

SEMIX303GD12E4C 数据手册

与SEMIX303GD12E4C相关器件

与SEMIX303GD12E4C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？