Datasheet > SEMiX305GD07E4

SEMiX305GD07E4

更新时间： 2023-12-06 20:10:39

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	563K
描述
IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMiX305GD07E4 数据手册

SEMiX305GD07E4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

650

372

281

300

900

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 360 V

-20 ... 20

SEMiX^®5

_GE≤ 15 V

_CES≤ 650 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

Inverse diode

T_j= 25 °C

Engineering Sample

SEMiX305GD07E4

Target Data

V_RRM

I_F

650

335

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

244

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

300

Features

• Solderless assembly solution with

PressFIT signal pins and screw power

terminals

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

600

2160

-40 ... 175

°C

• IGBT 4 Trench Gate Technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

Module

I_t(RMS)

T_stg

400

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

AC sinus 50Hz, t = 1 min

• Low inductance case

V_isol

• Reliable mechanical design with

injection moulded terminals and robust

internal connections

• UL recognized file no. E63532

• NTC temperature sensor inside

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

V_CE(sat)

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications*

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

1.55

1.75

1.95

2.15

• Three phase inverters for AC motor

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

speed control

• UPS

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.9

0.82

2.2

3.1

5.8

mΩ

chiplevel

0.9

3.2

4.2

6.4

0.2

Remarks

• Case temperature limited to T_C=125°C

max.

V_GE= 15 V

chiplevel

• Product reliability results are valid for

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 8 mA

5.1

_jop=150°C

V_GE= 0 V, V_CE= 650 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

• Dynamic data are estimated

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(HALA P8)

SEMiX 5p”

18.5

1.16

0.55

3023

1.0

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 15 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 300 V

T_j= 150 °C

_C= 300 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

5.5

_{G on}= 2 Ω

_{G off}= 2 Ω

di/dt_on= 4760 A/µs

di/dt_off= 3478 A/µs

T_j= 150 °C

E_off

15.6

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λgrease=0.81 W/mK,

thickness 50-100µm)

0.16

K/W

0.051

0.031

per IGBT (λ=3.4 W/mK)

Rev. 0.4 – 08.09.2017

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SEMiX305GD07E4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX305MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,
SEMiX305MLI12E4V2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
SEMiX305TMLI17E4C	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX341D	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Module (uncontrolled)
SEMIX341D16S	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Module (uncontrolled)
SEMIX352GAL128DS	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Modules
SEMIX352GAL128DS_08	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Modules
SEMIX352GAR128DS	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128D	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Modules

与SEMiX305GD07E4相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMiX305GD07E4

SEMiX305GD07E4 数据手册

与SEMiX305GD07E4相关器件

与SEMiX305GD07E4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMiX305GD07E4

SEMiX305GD07E4 数据手册

与SEMiX305GD07E4相关器件

与SEMiX305GD07E4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？