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SEMIX305MLI07E4 PDF预览

SEMIX305MLI07E4

更新时间： 2024-01-04 18:25:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
10页 580K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,

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SEMIX305MLI07E4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63最大集电极电流 (IC)：302 A
集电极-发射极最大电压：650 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
子类别：Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max：1.95 V
Base Number Matches：1

SEMIX305MLI07E4 数据手册

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SEMiX305MLI07E4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT1  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
650  
388  
293  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3 x ICnom  
-20 ... +20  
SEMiX® 5  
VCC = 360 V, VGE ≤ 15 V, Tj = 150 °C,  
VCES ≤650 V  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
3-Level NPC IGBT-Module  
SEMiX305MLI07E4  
Features  
IGBT2  
VCES  
IC  
Tj = 25 °C  
650  
373  
282  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3 x ICnom  
-20 ... 20  
ꢀ Solderless assembling solution with  
PressFIT signal pins and screw power  
terminals  
VCC = 360 V, VGE ≤ 15 V, Tj = 150 °C,  
VCES ≤ 650 V  
tpsc  
Tj  
10  
µs  
°C  
-40 ... 175  
ꢀ IGBT 4 Trench Gate Technology  
ꢀ VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
Diode1  
VRRM  
IF  
Tj = 25 °C  
650  
294  
217  
200  
400  
V
A
A
A
A
ꢀ Low inductance case  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
ꢀ Reliable mechanical design with  
injection moulded terminals and  
reliable internal connections  
ꢀ UL recognized file no. E63532  
ꢀ NTC temperature sensor inside  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2 x IFnom  
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1476  
-40 ... 175  
A
°C  
Remarks*  
ꢀ Case temperature limited to TC=125°C  
max.  
Diode2  
VRRM  
IF  
Tj = 25 °C  
650  
267  
196  
200  
400  
V
A
A
A
A
ꢀ Product reliability results are valid for  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
T
jop=150°C  
Tj = 175 °C  
ꢀ IGBT1 : outer IGBTs T1 & T4  
ꢀ IGBT2 : inner IGBTs T2 & T3  
ꢀ Diode1 : outer diodes D1 & D4  
ꢀ Diode2 : inner diodes D2 & D3  
ꢀ Diode5 : clamping diodes D5 & D6  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2 x IFnom  
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1476  
-40 ... 175  
A
°C  
Diode5  
VRRM  
IF  
Tj = 25 °C  
650  
255  
187  
V
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
200  
400  
1476  
-40 ... 175  
A
A
A
°C  
IFRM = 2xIFnom  
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
400  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
MLI  
© by SEMIKRON  
Rev. 1.0 – 02.03.2016  
1
1234567...10

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与SEMIX305MLI07E4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMiX305MLI12E4V2 SEMIKRON

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SEMIX305TMLI12E4B SEMIKRON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
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 		IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
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