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SEMIX352GB128DS_08

更新时间： 2024-09-27 06:11:07

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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5页	351K
描述
SPT IGBT Modules

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SEMIX352GB128DS_08 数据手册

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SEMiX352GB128Ds

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

377

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 150 °C

268

I_Cnom

200

I_CRM

I_CRM= 2xI_Cnom

400

V_GES

-20 ... 20

SEMiX^®2s

V_CC= 600 V

V_GE≤ 20 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

V_CES≤ 1200 V

SPT IGBT Modules

T_j

-40 ... 150

Inverse diode

SEMiX352GB128Ds

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

297

204

T_j= 150 °C

Preliminary Data

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

200

Features

• Homogeneous Si

• SPT = Soft-Punch-Through technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• UL recognised file no. E63532

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

400

2000

-40 ... 150

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

Typical Applications

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders up to 20 kHz

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 200 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.9

2.35

2.55

_GE= 15 V

T_j= 125 °C

2.10

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

V_CE0

r_CE

1.15

1.05

6.0

0.9

4.5

6.0

mΩ

V_GE= 15 V

7.5

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 8 mA

V_GE= 0 V

4.5

6.5

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

f = 1 MHz

0.1

0.3

Ω

_CE= 1200 V

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

18.9

1.24

0.78

1920

2.00

230

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_CC= 600 V

I_C= 200 A

T_j= 125 °C

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 3 Ω

_{G off}= 3 Ω

585

E_off

R_th(j-c)

K/W

per IGBT

0.083

Rev. 12 – 02.12.2008

12 3 4 5

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