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SEMIX353GD126HDC_09

更新时间： 2024-09-28 06:11:07

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	374K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX353GD126HDC_09 数据手册

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SEMiX353GD126HDc

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

364

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 150 °C

256

I_Cnom

I_CRM

V_GES

225

I_CRM= 2xI_Cnom

450

-20 ... 20

SEMiX^®33c

Trench IGBT Modules

SEMiX353GD126HDc

Features

V_CC= 600 V

V_GE≤ 20 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 150

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

329

228

T_j= 150 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

225

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

450

1700

• Homogeneous Si

-40 ... 150

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• UL recognised file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic Welding

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Remarks

• Case temperatur limited to T_C=125°C

max.

I_C= 225 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.7

2.1

_GE= 15 V

T_j= 125 °C

2.45

chiplevel

• Not for new design

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

V_CE0

r_CE

1.2

1.1

4.0

6.0

6.5

0.3

0.9

3.1

4.9

5.8

0.1

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 9 mA

V_GE= 0 V

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

f = 1 MHz

Ω

_CE= 1200 V

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

16.0

0.84

0.73

1800

3.33

265

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 125 °C

V_CC= 600 V

I_C= 225 A

E_on

t_d(off)

t_f

26.5

585

R_{G on}= 2 Ω

_{G off}= 2 Ω

120

E_off

R_th(j-c)

32.5

K/W

per IGBT

0.1

Rev. 14 – 16.12.2009

12 3 4 5

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