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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX403GB128D
SEMIX403GB128D PDF预览

SEMIX403GB128D

更新时间： 2024-02-28 16:28:26
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 948K
描述
SPT IGBT Modules

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SEMIX403GB128D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11针数：11
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：420 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X11
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：11封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：645 ns标称接通时间 (ton)：205 ns
Base Number Matches：1

SEMIX403GB128D 数据手册

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20-04-2007 SCH  
© by SEMIKRON  
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