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SEMIX452GAR126HD

更新时间： 2024-09-28 22:50:35

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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Trench IGBT Modules

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SEMIX452GAR126HD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	470 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	1	端子数量：	11
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	IEC-60747-1
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	765 ns
标称接通时间 (ton)：	350 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX452GAR126HD 数据手册

SEMiX 452GB126HD ...

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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max. Units

SEMiX 452GB126HD

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SEMiX 452GAR126HD

Preliminary Data

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