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SEMIX452GB176HDS

更新时间： 2024-11-19 04:51:59

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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Trench IGBT Modules

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SEMIX452GB176HDS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数：	15	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	435 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X15
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	2
端子数量：	15	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1005 ns	标称接通时间 (ton)：	415 ns
VCEsat-Max：	2.45 V

SEMIX452GB176HDS 数据手册

SEMiX 452GB176HDs

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HIJ

17-04-2007 SCH

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