Datasheet > SEMiX453GB12E4Ip

SEMiX453GB12E4Ip

更新时间： 2024-11-20 14:55:35

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	338K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p shunt (150x62x17)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMiX453GB12E4Ip 数据手册

SEMiX453GB12E4Ip

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

678

521

450

1350

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 800 V

SEMiX^®3p shunt

Trench IGBT Modules

SEMiX453GB12E4Ip

Features

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

578

433

450

1350

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Homogeneous Si

2430

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• Press-fit pins as auxiliary contacts

• Current sensing shunt resistor

• UL recognized, file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

294

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications*

Characteristics

• AC inverter drives

• UPS

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

• Renewable energy systems

I_C= 450 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.80

2.19

2.05

2.40

Remarks

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

2.2

3.3

5.8

0.90

0.80

2.6

3.6

6.5

mΩ

• V_isolbetween temperature sensor and

power section is only 2500V

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 18 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

27.9

1.74

1.53

2550

1.7

195

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 450 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1.1 Ω

_{G off}= 1.1 Ω

505

110

di/dt_on= 6600 A/µs

di/dt_off= 3400 A/µs

du/dt = 4800 V/µs

L_s= 21 nH

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

0.066

K/W

0.03

per IGBT, pre-applied phase change

material

R_th(c-s)

0.021

K/W

GB + shunt

Rev. 2.0 – 25.01.2017

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SEMiX453GB12E4Ip相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX453GB12E4P	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
SEMIX453GB12E4S	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX453GB12E4S_10	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMiX453GB12M7p	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)
SEMIX453GB12T4S	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMiX453GB12Vp	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)
SEMIX453GB12VS	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX453GB176HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX453GB176HD_07	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX453GB176HDS	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules

与SEMiX453GB12E4Ip相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMiX453GB12E4Ip

SEMiX453GB12E4Ip 数据手册

与SEMiX453GB12E4Ip相关器件

与SEMiX453GB12E4Ip相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMiX453GB12E4Ip

SEMiX453GB12E4Ip 数据手册

与SEMiX453GB12E4Ip相关器件

与SEMiX453GB12E4Ip相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？