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SEMiX453GB12E4Ip

更新时间： 2024-10-02 14:55:35

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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6页	338K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p shunt (150x62x17)

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SEMiX453GB12E4Ip 数据手册

SEMiX453GB12E4Ip

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

678

521

450

1350

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 800 V

SEMiX^®3p shunt

Trench IGBT Modules

SEMiX453GB12E4Ip

Features

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

578

433

450

1350

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Homogeneous Si

2430

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• Press-fit pins as auxiliary contacts

• Current sensing shunt resistor

• UL recognized, file no. E63532

Module

I_t(RMS)

T_stg

294

-40 ... 125

4000

°C

module without TIM

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications*

Characteristics

• AC inverter drives

• UPS

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

• Renewable energy systems

I_C= 450 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.80

2.19

2.05

2.40

Remarks

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

2.2

3.3

5.8

0.90

0.80

2.6

3.6

6.5

mΩ

• V_isolbetween temperature sensor and

power section is only 2500V

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE=V_CE, I_C= 18 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

27.9

1.74

1.53

2550

1.7

195

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 450 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1.1 Ω

_{G off}= 1.1 Ω

505

110

di/dt_on= 6600 A/µs

di/dt_off= 3400 A/µs

du/dt = 4800 V/µs

L_s= 21 nH

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

0.066

K/W

0.03

per IGBT, pre-applied phase change

material

R_th(c-s)

0.021

K/W

GB + shunt

Rev. 2.0 – 25.01.2017

12 3 4 5 6

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