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SEMIX453GB176HDS

更新时间： 2024-01-28 19:44:13

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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Trench IGBT Modules

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SEMIX453GB176HDS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	444 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	2	端子数量：	20
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1140 ns
标称接通时间 (ton)：	405 ns	VCEsat-Max：	2.45 V

SEMIX453GB176HDS 数据手册

SEMiX 453GB176HDs

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12 3 4

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