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SEMIX453GD176HDC

更新时间: 2024-11-04 22:43:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 1001K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX453GD176HDC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数:29Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):450 A集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X29JESD-609代码:e3/e4
元件数量:6端子数量:29
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-60747-1
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN/SILVER端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1140 ns标称接通时间 (ton):405 ns
VCEsat-Max:2.45 VBase Number Matches:1

SEMIX453GD176HDC 数据手册

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SEMiX 453GD176HDc  
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15-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  

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