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SEMIX453GD176HDC

更新时间： 2024-11-04 22:43:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 1001K
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Trench IGBT Modules

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SEMIX453GD176HDC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数：29Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：450 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X29JESD-609代码：e3/e4
元件数量：6端子数量：29
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-60747-1
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1140 ns标称接通时间 (ton)：405 ns
VCEsat-Max：2.45 VBase Number Matches：1

SEMIX453GD176HDC 数据手册

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15-06-2005 SEN  
© by SEMIKRON  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMIX453GD176HDC_07 SEMIKRON

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