是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29 |
针数: | 29 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 450 A | 集电极-发射极最大电压: | 1700 V |
配置: | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X29 | JESD-609代码: | e3/e4 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 29 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | IEC-60747-1 |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN/SILVER | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 1140 ns | 标称接通时间 (ton): | 405 ns |
VCEsat-Max: | 2.45 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SEMIX453GD176HDC_07 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX453GD176HDC_09 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX453GD176HDC_10 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMiX453GD17E4c | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMiX 33c (150x163x17) | |
SEMiX453GM12E4p | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17) | |
SEMIX501D17FS | SEMIKRON |
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Bridge Rectifier Diode, 489A, 1700V V(RRM), | |
SEMIX503GB126HD | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX503GB126HD_06 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX503GB126HD_07 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX503GB126HDS | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules |