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SEMiX453GM12E4p PDF预览

SEMiX453GM12E4p

更新时间： 2023-12-06 20:03:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 625K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)

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SEMiX453GM12E4p 数据手册

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SEMiX453GM12E4p  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
678  
521  
450  
1350  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 800 V  
SEMiX® 3p  
Trench IGBT Modules  
SEMiX453GM12E4p  
Features  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1200  
544  
407  
450  
1350  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• Homogeneous Si  
2430  
-40 ... 175  
A
°C  
• Trench = Trenchgate technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability  
• Press-fit pins as auxiliary contacts  
• UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Typical Applications*  
• AC inverter drives  
• UPS  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• Renewable energy systems  
Remarks  
IC = 450 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.80  
2.19  
2.05  
2.40  
V
V
• Product reliability results are valid for  
Tj=150°C  
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
• Visol between temperature sensor and  
power section is only 2500V  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
2.2  
3.3  
5.8  
0.9  
0.8  
2.6  
3.6  
6.5  
5
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
• Pin #13 is not used in GM topology  
• For storage and case temperature with  
TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
VGE=VCE, IC = 18 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1200 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5
27.9  
1.74  
1.53  
2550  
1.7  
155  
80  
11  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 600 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 450 A  
V
GE = +15/-15 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 1.1 Ω  
G off = 1.1 Ω  
510  
120  
di/dton = 4600 A/µs  
di/dtoff = 2500 A/µs  
du/dt = 3500 V/µs  
Ls = 21 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
66  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
0.066  
K/W  
K/W  
0.03  
per IGBT, pre-applied phase change  
material  
Rth(c-s)  
0.021  
K/W  
GM  
© by SEMIKRON  
Rev. 1.0 – 25.01.2017  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMIX501D17FS SEMIKRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 489A, 1700V V(RRM),
SEMIX503GB126HD SEMIKRON

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 		Trench IGBT Modules
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