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SEMIX503GB126HD

更新时间: 2024-01-23 01:59:02
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 945K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX503GB126HD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:CASE SEMIX 3, 11 PIN
针数:11Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):480 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X11JESD-609代码:e2
元件数量:2端子数量:11
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):750 ns标称接通时间 (ton):330 ns
Base Number Matches:1

SEMIX503GB126HD 数据手册

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SEMiX 503GB126HD  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max. Units  
SEMiX 503GB126HD  
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Features  
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GB  
1
13-04-2006 GES  
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