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SEMIX553GAL128D

更新时间： 2024-11-19 09:29:19

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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SPT IGBT Modules

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SEMIX553GAL128D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11	针数：	11
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	540 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	1	端子数量：	11
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	715 ns
标称接通时间 (ton)：	250 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX553GAL128D 数据手册

SEMiX 553GB128D ...

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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min.

typ.

max. Units

SEMiX 553GB128D

SEMiX 553GAL128D

SEMiX 553GAR128D

Preliminary Data

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Features

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Typical Applications

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