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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX603GB066HDS
SEMIX603GB066HDS PDF预览

SEMIX603GB066HDS

更新时间： 2024-09-13 02:59:23
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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4页 1108K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX603GB066HDS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
针数：20Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：720 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X8
JESD-609代码：e3/e4元件数量：2
端子数量：8最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1155 ns
标称接通时间 (ton)：295 nsVCEsat-Max：1.85 V
Base Number Matches：1

SEMIX603GB066HDS 数据手册

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01-12-2005 GES  
© by SEMIKRON  
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SEMIX603GB066HDS_06 SEMIKRON

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