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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX604GAL12E4S
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SEMIX604GAL12E4S

更新时间： 2024-09-15 09:29:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 599K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX604GAL12E4S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15针数：25
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：916 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X15元件数量：1
端子数量：15最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1391 ns
标称接通时间 (ton)：459 nsVCEsat-Max：2.05 V
Base Number Matches：1

SEMIX604GAL12E4S 数据手册

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SEMiX604GAL12E4s  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
IGBT  
VCES  
IC  
1200  
916  
704  
600  
1800  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
tpsc  
Tj  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 800 V  
SEMiX® 4s  
Trench IGBT Modules  
SEMiX604GAL12E4s  
Features  
V
V
GE ≤ 20 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
10  
µs  
°C  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
707  
529  
600  
1800  
3240  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• Homogeneous Si  
-40 ... 175  
°C  
• Trench = Trenchgate technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability  
• UL recognized, file no. E63532  
Freewheeling diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
707  
529  
600  
1800  
3240  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
Typical Applications*  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
• AC inverter drives  
• UPS  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
-40 ... 175  
°C  
• Electronic Welding  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Remarks  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
• Case temperature limited to TC=125°C  
max.  
Visol  
• Product reliability results are valid for  
Tj=150°C  
Characteristics  
• Dynamic values apply to the  
following combination of resistors:  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
R
R
R
R
Gon,main = 1,0  
Goff,main = 6,2   
G,X = 2,2   
IC = 600 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.8  
2.2  
2.05  
2.4  
V
V
V
GE = 15 V  
E,X = 0,5   
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
1.7  
2.5  
5.8  
0.12  
0.9  
0.8  
1.9  
2.7  
6.5  
V
V
m  
m  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
VGE = 15 V  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 24 mA  
Tj = 25 °C  
5
0.36  
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
37.2  
2.32  
2.04  
3400  
1.25  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 16.11.2010  
1
12345

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