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SEMIX653GAL176HD

更新时间： 2024-09-16 04:42:23

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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SEMIX653GAL176HD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	650 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X11
JESD-609代码：	e3/e4	元件数量：	1
端子数量：	11	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN/SILVER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1165 ns
标称接通时间 (ton)：	380 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX653GAL176HD 数据手册

SEMiX 653GB176HD ...

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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min.

typ.

max. Units

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SEMiX 653GAL176HD

SEMiX 653GAR176HD

Preliminary Data

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