是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18 | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 650 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X18 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | IEC-60747-1 |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 815 ns |
标称接通时间 (ton): | 370 ns | VCEsat-Max: | 2.1 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SEMIX703GAL126HDS_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GAL126HDS_10 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GAR126HD | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GAR126HDS | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GAR126HDS_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GAR126HDS_10 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GB126HD | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GB126HD_06 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GB126HD_07 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules | |
SEMIX703GB126HDS | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |