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SEMIX703GAL126HDS

更新时间: 2024-11-06 03:44:43
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页 1130K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX703GAL126HDS 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):650 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X18
元件数量:1端子数量:18
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-60747-1
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):815 ns
标称接通时间 (ton):370 nsVCEsat-Max:2.1 V
Base Number Matches:1

SEMIX703GAL126HDS 数据手册

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SEMiX 703GB126HDs  
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Trench IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max. Units  
SEMiX 703GB126HDs  
SEMiX 703GAL126HDs  
SEMiX 703GAR126HDs  
Preliminary Data  
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Features  
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Typical Applications  
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GAL  
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1
07-04-2006 GES  
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