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SEMIX703GD126HDC

更新时间： 2024-11-05 22:43:19

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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SEMIX703GD126HDC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数：	29	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	650 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X29	JESD-609代码：	e3/e4
元件数量：	6	端子数量：	29
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	IEC-60747-1
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN/SILVER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	815 ns	标称接通时间 (ton)：	370 ns
VCEsat-Max：	2.1 V	Base Number Matches：	1

SEMIX703GD126HDC 数据手册

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Characteristics

Symbol Conditions

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15-06-2005 SEN

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