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SEMIX604GB176HDS_08

更新时间： 2024-11-06 06:11:07

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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5页	367K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX604GB176HDS_08 数据手册

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SEMiX604GB176HDs

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1700

567

T_c= 25°C

T_c= 80°C

I_C

T_j= 150°C

402

I_CRM

I_CRM= 2xI_Cnom

800

V_GES

-20 ... 20

V_CC= 1000V

V_GE≤ 20V

T_j= 125°C

SEMiX^®4s

t_psc

µs

°C

V_CES≤ 1700V

T_j

-55 ... 150

Trench IGBT Modules

Inverse diode

T_c= 25°C

T_c= 80°C

I_F

740

496

T_j= 150°C

SEMiX604GB176HDs

Preliminary Data

Features

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10ms, half sine wave, T_j= 25°C

800

2700

-40 ... 150

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Homogeneous Si

600

-40 ... 125

4000

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 60s

• UL recognised file no. E63532

Typical Applications

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders

I_Cnom= 400A

V_CE(sat)

T_j= 25°C

2.45

2.9

_GE= 15V

T_j= 125°C

Remarks

2.45

chiplevel

T_j= 25°C

T_j= 125°C

T_j= 25°C

T_j= 125°C

V_CE0

r_CE

1.2

1.1

0.9

2.5

3.9

5.8

0.12

3.1

mΩ

V_GE= 15V

4.5

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 16mA

T_j= 25°C

5.2

6.4

0.36

Ω

V_GE= 0V

_CE= 1700V

T_j= 125°C

f = 1MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

35.3

1.46

1.17

3732

1.88

360

V_CE= 25V

_GE= 0V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25°C

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_CC= 1200V

_Cnom= 400A

T_j= 125°C

E_on

t_d(off)

t_f

215

900

165

_{G on}= 3Ω

_{G off}= 3Ω

E_off

R_th(j-c)

K/W

per IGBT

0.058

03.04.2008

12 3 4 5

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