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SEMIX603GB12E4P PDF预览

SEMIX603GB12E4P

更新时间： 2024-09-15 20:10:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
3页 191K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SEMIX603GB12E4P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SEMIX603GB12E4P 数据手册

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SEMiX603GB12E4p  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
1110  
853  
600  
1800  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 800 V  
-20 ... 20  
SEMiX® 3p  
V
V
GE ≤ 20 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Trench IGBT Modules  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
874  
656  
A
A
Tj = 175 °C  
SEMiX603GB12E4p  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
600  
1800  
3645  
-40 ... 175  
A
A
A
°C  
Target Data  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
Features  
• Homogeneous Si  
• Trench = Trenchgate technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability  
• Press-fit pins as auxiliary contacts  
• Thermally optimized ceramic  
• UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Tterminal = 80 °C  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
Typical Applications*  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• AC inverter drives  
• UPS  
• Renewable energy systems  
IC = 600 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.80  
2.03  
2.05  
2.30  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
Remarks  
• Product reliability results are valid for  
Tj=150°C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.87  
0.77  
1.6  
2.1  
5.8  
1.01  
0.9  
1.7  
2.3  
6.3  
5
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 22.2 mA  
Tj = 25 °C  
5.3  
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
37.5  
2.31  
2.04  
3450  
1.17  
210  
100  
90  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 600 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 600 A  
V
GE = ±15 V  
R
R
G on = 1.5 Ω  
G off = 1.5 Ω  
650  
120  
di/dton = 5100 A/µs  
di/dtoff = 5100 A/µs  
du/dtoff = 3700 V/  
µs  
Tj = 150 °C  
Eoff  
80  
mJ  
Rth(j-c)  
per IGBT  
0.037  
K/W  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 0 – 09.01.2014  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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