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SEMiX603GB17E4pV1

更新时间： 2024-11-02 14:55:15

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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6页	683K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)

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SEMiX603GB17E4pV1

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1700

912

699

600

1800

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

SEMiX^®3p

V_CC= 1000 V

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

_CES≤ 1700 V

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

SEMiX603GB17E4pV1

Features*

Inverse diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1700

780

576

1200

3510

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Homogeneous Si

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

• High short circuit capability

• Press-fit pins as auxiliary contacts

• UL recognized, file no. E63532

module without TIM

AC sinus 50Hz, t = 1 min

V_isol

Typical Applications

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

• AC inverter drives

• UPS

min.

typ.

max.

Unit

• Renewable energy systems

I_C= 600 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.95

2.48

2.30

2.80

Remarks

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

1.02

0.92

1.55

2.6

1.20

1.03

1.83

3.0

6.2

mΩ

chiplevel

• V_isolbetween temperature sensor and

power section is only 2500V

V_GE= 15 V

chiplevel

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

V_GE= V_CE, I_C= 24 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1700 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.2

5.8

46.5

1.98

1.65

4800

1.1

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

V_CC= 900 V

T_j= 150 °C

260

125

710

170

_C= 600 A

_GE= +15/-15 V

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 1 Ω

di/dt_on= 8000 A/µs

di/dt_off= 3000 A/µs

dv/dt = 3500 V/µs

L_s= 35 nH

T_j= 150 °C

E_off

200

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λ_grease=0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.042

K/W

0.033

0.023

R_th(c-s)

K/W

Rev. 1.0 – 21.07.2021

12 3 4 5 6

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