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SEMiX603GB12M7p

更新时间： 2024-11-06 14:55:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 667K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)

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SEMiX603GB12M7p 数据手册

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SEMiX603GB12M7p  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
774  
587  
600  
1200  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
SEMiX® 3p  
Trench IGBT Modules  
SEMiX603GB12M7p  
Features*  
VCC = 800 V  
V
V
GE ≤ 15 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
8
µs  
°C  
CES ≤ 1200 V  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1200  
656  
493  
1200  
3186  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• Homogeneous Si  
-40 ... 175  
°C  
• Trench = Trenchgate technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High overload capability  
• Low loss high density IGBTs  
• Press-fit pins as auxiliary contacts  
• UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Visol  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
Typical Applications  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• AC inverter drives  
• UPS  
• Renewable energy systems  
IC = 600 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.54  
1.80  
1.88  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
Remarks  
chiplevel  
• Product reliability results are valid for  
Tj=150°C (recommended  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.87  
0.77  
1.12  
1.72  
6
0.95  
1.55  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
chiplevel  
T
j,op=-40...+150°C)  
VGE = 15 V  
chiplevel  
• Visol between temperature sensor and  
power section is only 2500V  
• For storage and case temperature with  
TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”  
VCE = 10 V, IC = 60 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1200 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
5.4  
6.6  
5
111.0  
3.53  
1.26  
5340  
0.7  
300  
85  
50  
VCE = 10 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = -8V ... + 15V  
Tj = 25 °C  
VCC = 600 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
I
C = 600 A  
V
GE = +15/-15 V  
Eon  
td(off)  
tf  
R
R
G on = 1 Ω  
G off = 1 Ω  
430  
110  
di/dton = 7700 A/µs  
di/dtoff = 5000 A/µs  
dv/dt = 5400 V/µs  
Ls = 25 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
65  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
per IGBT, pre-applied phase change  
material  
0.066  
K/W  
K/W  
0.035  
0.025  
Rth(c-s)  
K/W  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 3.0 – 23.09.2021  
1
123456

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SEMiX603GB17E4pV1 SEMIKRON

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