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SEMIX603GAR066HDS

更新时间： 2024-09-13 06:11:07

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	417K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX603GAR066HDS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18	针数：	18
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	720 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X18	元件数量：	1
端子数量：	18	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1155 ns
标称接通时间 (ton)：	295 ns	VCEsat-Max：	1.85 V
Base Number Matches：	1

SEMIX603GAR066HDS 数据手册

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SEMiX603GAR066HDs

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

600

720

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

541

I_Cnom

600

I_CRM

I_CRM= 2xI_Cnom

1200

-20 ... 20

V_GES

SEMiX^®3s

V_CC= 360 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 600 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

SEMiX603GAR066HDs

Features

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

771

562

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

600

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1200

1800

• Homogeneous Si

-40 ... 175

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

Freewheeling diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

771

562

T_j= 175 °C

• UL recognised file no. E63532

I_Fnom

600

Typical Applications*

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1200

• Matrix Converter

• Resonant Inverter

• Current Source Inverter

1800

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

Remarks

• Case temperature limited to T_C=125°C

max.

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

600

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Characteristics

• For short circuit: Soft R_Goff

recommended

• Take care of over-voltage caused by

stray inductance

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 600 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.45

1.7

1.85

2.1

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.9

0.85

0.9

1.4

2.0

6.5

0.45

mΩ

V_GE= 15 V

1.4

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 9.6 mA

T_j= 25 °C

5.8

0.15

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 600 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

37.0

2.31

1.10

4800

0.67

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

GAR

Rev. 12 – 16.12.2009

12 3 4 5 6

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