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SEMIX603GB066HD

更新时间： 2024-09-13 02:59:23
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX603GB066HD 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：490 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X11JESD-609代码：e2
元件数量：2端子数量：11
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-60747-1
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1155 ns
标称接通时间 (ton)：295 nsBase Number Matches：1

SEMIX603GB066HD 数据手册

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SEMiX 603GB066HD ...  
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Target Data  
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20-04-2006 GES  
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