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SEMIX553GAL128DS

更新时间： 2024-11-19 03:44:43

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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SPT IGBT Modules

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SEMIX553GAL128DS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
针数：	16	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	540 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X16	元件数量：	1
端子数量：	16	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	715 ns
标称接通时间 (ton)：	250 ns	Base Number Matches：	1

SEMIX553GAL128DS 数据手册

SEMiX 553GB128Ds

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SPT IGBT Modules

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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max. Units

SEMiX 553GB128Ds

SEMiX 553GAL128Ds

SEMiX 553GAR128Ds

Preliminary Data

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Features

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11-04-2006 GES

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