Datasheet > SEMIX453GD176HDC_10

SEMIX453GD176HDC_10

更新时间： 2024-11-23 09:29:19

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	321K
描述
Trench IGBT Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMIX453GD176HDC_10 数据手册

浏览型号SEMIX453GD176HDC_10的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号SEMIX453GD176HDC_10的Datasheet PDF文件第3页

SEMiX453GD176HDc

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1700

444

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 150 °C

315

I_Cnom

I_CRM

V_GES

300

I_CRM= 2xI_Cnom

600

-20 ... 20

SEMiX^®33c

Trench IGBT Modules

SEMiX453GD176HDc

Features

V_CC= 1000 V

V_GE≤ 20 V

V_CES≤ 1700 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-55 ... 150

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

545

365

T_j= 150 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

300

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

600

2900

• Homogeneous Si

-40 ... 150

°C

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

• UL recognised file no. E63532

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic welders

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 300 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

2.45

2.9

_GE= 15 V

T_j= 125 °C

2.45

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

V_CE0

r_CE

1.2

1.1

4.2

6.0

6.4

0.9

3.3

5.2

5.8

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

T_j= 25 °C

5.2

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1700 V

T_j= 125 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

26.4

1.10

0.88

2799

2.50

335

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 1200 V

I_C= 300 A

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 125 °C

E_on

t_d(off)

t_f

215

990

150

R_{G on}= 4.3 Ω

_{G off}= 4.3 Ω

T_j= 125 °C

E_off

125

R_th(j-c)

per IGBT

0.071

K/W

Rev. 1 – 24.06.2010

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SEMIX453GD176HDC_10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMiX453GD17E4c	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 33c (150x163x17)
SEMiX453GM12E4p	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)
SEMIX501D17FS	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 489A, 1700V V(RRM),
SEMIX503GB126HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HD_06	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HD_07	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HDS	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HDS_06	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HDS_07	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SEMIX503GB126HDS_09	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules