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SEMiX453GB17E4Dp

更新时间： 2023-12-06 20:10:00
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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6页 680K
描述
IGBT Modules SEMiX 3p (150x62x17)

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SEMiX453GB17E4Dp 数据手册

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SEMiX453GB17E4Dp  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1700  
697  
530  
450  
1350  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
SEMiX® 3p  
Trench IGBT Modules  
SEMiX453GB17E4Dp  
Features*  
VCC = 1000 V  
V
V
GE ≤ 15 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
CES ≤ 1700 V  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1700  
719  
529  
1200  
3510  
V
A
A
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• Homogeneous Si  
-40 ... 175  
°C  
• Trench = Trenchgate technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability  
• Press-fit pins as auxiliary contacts  
• UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
module without TIM  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Visol  
Typical Applications  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
• AC inverter drives  
• UPS  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• Renewable energy systems  
IC = 450 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.90  
2.31  
2.20  
2.60  
V
V
Remarks  
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
• Product reliability results are valid for  
Tj=150°C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
1.10  
1.00  
1.78  
2.9  
1.20  
1.10  
2.2  
3.3  
6.4  
5
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
chiplevel  
• Visol between temperature sensor and  
power section is only 2500V  
VGE = 15 V  
chiplevel  
• For storage and case temperature with  
TIM see document “TP(*) SEMiX 3p”  
VGE(th)  
ICES  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
VGE = VCE, IC = 18 mA  
VGE = 0 V, VCE = 1700 V, Tj = 25 °C  
f = 1 MHz  
5.2  
5.8  
35.4  
1.29  
1.14  
3600  
1.7  
VCE = 25 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
V
GE = 0 V  
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
VCC = 900 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
270  
60  
142  
660  
160  
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
I
C = 450 A  
V
R
R
GE = +15/-15 V  
G on = 1 Ω  
G off = 1 Ω  
di/dton = 7200 A/µs  
di/dtoff = 2300 A/µs  
dv/dt = 3500 V/µs  
Ls = 25 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
155  
mJ  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
per IGBT  
per IGBT (λgrease=0.81 W/(m*K))  
per IGBT, pre-applied phase change  
material  
0.06  
K/W  
K/W  
0.029  
0.02  
Rth(c-s)  
K/W  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 1.0 – 28.01.2022  
1
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SEMiX453GB17E4I50p SEMIKRON

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