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SEMiX404GB17E4s

更新时间： 2023-12-06 20:10:16
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 308K
描述
IGBT Modules SEMiX 4s (183x69x17)

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SEMiX404GB17E4s 数据手册

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SEMiX404GB17E4s  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1700  
633  
490  
400  
1200  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
SEMiX® 4s  
VCC = 1000 V  
VGE ≤ 15 V  
VCES ≤ 1700 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tj = 25 °C  
VRRM  
IF  
1700  
412  
303  
400  
800  
V
A
A
A
A
SEMiX404GB17E4s  
Features  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2xIFnom  
ꢀ Homogeneous Si  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
2340  
-40 ... 175  
A
°C  
ꢀ Trench = Trenchgate technology  
ꢀ VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
ꢀ High short circuit capability  
ꢀ UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Typical Applications*  
Visol  
ꢀ AC inverter drives  
ꢀ UPS  
Characteristics  
ꢀ Electronic Welding  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Remarks  
ꢀ Case temperature limited to TC=125°C  
max.  
IC = 400 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.90  
2.30  
2.20  
2.60  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
ꢀ Product reliability results are valid for  
Tj=150°C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
2.8  
4
0.9  
0.8  
3.3  
4.5  
6.4  
5
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
ꢀ Dynamic values apply to the  
following combination of resistors:  
chiplevel  
R
R
R
R
Gon,main = 2,35 Ω  
Goff,main = 2,35 Ω  
G,X = 2,2 Ω  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 16 mA  
Tj = 25 °C  
V
5.2  
5.8  
E,X = 0,5 Ω  
VGE = 0 V  
CE = 1700 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
36  
1.36  
1.16  
3200  
1.88  
390  
55  
190  
910  
170  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
VCC = 1200 V  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 150 °C  
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
I
C = 400 A  
V
GE = +15/-15 V  
R
R
G on = 3 Ω  
G off = 3 Ω  
di/dton = 7380 A/µs  
di/dtoff = 2040 A/µs  
du/dt = 4950 V/µs  
Ls = 30 nH  
Tj = 150 °C  
Eoff  
165  
mJ  
GB  
© by SEMIKRON  
Rev. 2 – 20.02.2015  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMiX405GARL07E3 SEMIKRON

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