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SEMIX404GB12E4S

更新时间： 2024-01-28 14:36:44

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX404GB12E4S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8	针数：	21
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	618 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X8
元件数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	771 ns	标称接通时间 (ton)：	363 ns
VCEsat-Max：	2.05 V	Base Number Matches：	1

SEMIX404GB12E4S 数据手册

SEMiX404GB12E4s

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

618

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

475

I_Cnom

400

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

1200

-20 ... 20

V_GES

SEMiX^®4s

V_CC= 800 V

V_GE≤ 20 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

SEMiX404GB12E4s

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

440

329

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

400

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1200

Features

• Homogeneous Si

• Trench = Trenchgate technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability

• UL recognised file no. E63532

1980

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

600

-40 ... 125

4000

°C

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Typical Applications

• AC inverter drives

• UPS

• Electronic Welding

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Remarks

• Case temperature limited to T_C=125°C

max.

• Product reliability results are valid for

T_j=150°C

• For short circuit: Soft R_Goff

recommended R_Goff> 25 Ω

• Dynamic values apply to the

following combination of resistors:

I_C= 400 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.8

2.2

2.05

2.4

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

2.5

3.8

5.8

0.12

0.9

0.8

2.9

mΩ

V_GE= 15 V

4.0

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 15.2 mA

T_j= 25 °C

6.5

_Gon,main= 1,0 Ω

_Goff,main= 1,0 Ω

_G,X= 2,2 Ω

0.36

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

_E,X= 0,5 Ω

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

24.6

1.62

1.38

2260

1.88

296

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

t_d(on)

t_r

T_j= 150 °C

V_CC= 600 V

I_C= 400 A

E_on

t_d(off)

t_f

R_{G on}= 1.7 Ω

634

137

59.7

_{G off}= 1.7 Ω

di/dt_on= 5800 A/µs

di/dt_off= 3700 A/µs

E_off

R_th(j-c)

K/W

per IGBT

0.072

Rev. 1 – 20.02.2009

12 3 4 5

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