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SEMiX405GARL07E3

更新时间： 2024-09-30 14:54:19

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	724K
描述
IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)

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SEMiX405GARL07E3 数据手册

SEMiX405GARL07E3

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

650

457

343

400

1200

-20 ... 20

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 360 V

SEMiX^®5

_GE≤ 15 V

_CES≤ 650 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

Inverse diode

T_j= 25 °C

Engineering Sample

SEMiX405GARL07E3

Target Data

V_RRM

I_F

650

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

Features

• Solderless assembling solution with

PressFIT signal pins and screw power

terminals

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

100

550

-40 ... 175

°C

• IGBT Trench Gate Technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

Freewheeling diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

650

484

353

400

800

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

• Low inductance case

T_j= 175 °C

• Reliable mechanical design with

injection moulded terminals and

reliable internal connections

• UL recognized file no. E63532

• NTC temperature sensor inside

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

2646

-40 ... 175

°C

Typical Applications*

Module

I_t(RMS)

T_stg

• UPS

450

-40 ... 125

4000

°C

• 3 Level Inverters

module without TIM

Remarks

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

• Case temperature limited to T_C=125°

max.

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

• Product reliability results are valid for

min.

typ.

max.

Unit

_jop=150°C

• Dynamic data are estimated

• For storage and case temperature with

TIM see document “TP(HALA P8)

SEMiX 5p”

I_C= 400 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.45

1.70

1.90

2.10

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.90

0.82

1.38

2.2

5.8

0.12

24.7

1.54

0.73

5139

1.0

1.00

0.90

2.3

3.0

6.4

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 6.4 mA

T_j= 25 °C

5.1

0.3

V_GE= 0 V

_CE= 650 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 15 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

GARL

Rev. 0.4 – 05.04.2018

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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