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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX402GAL066HDS
SEMIX402GAL066HDS PDF预览

SEMIX402GAL066HDS

更新时间： 2024-09-28 04:51:59
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
2页 499K
描述
Trench IGBT Modules

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SEMIX402GAL066HDS 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12针数：16
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.4
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：502 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X12
元件数量：1端子数量：12
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：965 ns标称接通时间 (ton)：275 ns
VCEsat-Max：1.85 VBase Number Matches：1

SEMIX402GAL066HDS 数据手册

 浏览型号SEMIX402GAL066HDS的Datasheet PDF文件第2页 
SEMiX 402GB066HDs  
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SEMiX 402GAR066HDs  
Target Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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Mechanical data  
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06-04-2006 GES  
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