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SEMIX402GAL066HD

更新时间: 2024-01-12 16:56:53
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 188K
描述
Trench IGBT Modules

SEMIX402GAL066HD 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12针数:16
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.4
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):502 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X12
元件数量:1端子数量:12
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):965 ns标称接通时间 (ton):275 ns
VCEsat-Max:1.85 VBase Number Matches:1

SEMIX402GAL066HD 数据手册

 浏览型号SEMIX402GAL066HD的Datasheet PDF文件第2页 
SEMiX 402GB066HD ...  
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SEMiX 402GB066HD  
SEMiX 402GAL066HD  
SEMiX 402GAR066HD  
Target Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Typical Applications  
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1
27-06-2005 GES  
© by SEMIKRON  

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