是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29 |
针数: | 29 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 364 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X29 |
JESD-609代码: | e3/e4 | 元件数量: | 6 |
端子数量: | 29 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN/SILVER | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 705 ns | 标称接通时间 (ton): | 320 ns |
VCEsat-Max: | 2.1 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SEMIX353GD126HDC_06 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD126HDC_07 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD126HDC_09 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD126HDC_10 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD176HDC | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD176HDC_07 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD176HDC_09 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMIX353GD176HDC_10 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SEMiX355MLI12M7 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17) | |
SEMiX365DH16 | SEMIKRON |
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Bridge Rectifier Modules SEMiX 5p (130x70x17) |