5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SEMIX352GAL128DS
SEMIX352GAL128DS PDF预览

SEMIX352GAL128DS

更新时间： 2024-01-03 02:35:45
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 396K
描述
SPT IGBT Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

SEMIX352GAL128DS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15
针数：15Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：370 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X15
元件数量：1端子数量：15
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：675 ns标称接通时间 (ton)：285 ns
Base Number Matches：1

SEMIX352GAL128DS 数据手册

 浏览型号SEMIX352GAL128DS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SEMIX352GAL128DS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SEMIX352GAL128DS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SEMIX352GAL128DS的Datasheet PDF文件第5页 
SEMiX352GAL128Ds  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
IGBT  
VCES  
1200  
377  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IC  
Tj = 150 °C  
268  
ICnom  
200  
ICRM  
ICRM = 2xICnom  
400  
VGES  
tpsc  
Tj  
-20 ... 20  
SEMiX®2s  
VCC = 600 V  
VGE ≤ 20 V  
Tj = 125 °C  
10  
µs  
°C  
VCES ≤ 1200 V  
SPT IGBT Modules  
-40 ... 150  
Inverse diode  
SEMiX352GAL128Ds  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
297  
204  
A
A
Tj = 150 °C  
Preliminary Data  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
200  
A
Features  
• Homogeneous Si  
• SPT = Soft-Punch-Through technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
• High short circuit capability  
• UL recognised file no. E63532  
IFRM = 2xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
400  
A
2000  
A
-40 ... 150  
°C  
Freewheeling diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
A
A
Tj = 150 °C  
Typical Applications  
IFnom  
200  
400  
A
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
A
• AC inverter drives  
• UPS  
• Electronic welders up to 20 kHz  
2000  
A
-40 ... 150  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
600  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
Visol  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 200 A  
VCE(sat)  
Tj = 25 °C  
1.9  
2.35  
2.55  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 125 °C  
2.10  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
VCE0  
rCE  
1
1.15  
1.05  
6.0  
V
V
0.9  
4.5  
6.0  
5
mΩ  
mΩ  
V
VGE = 15 V  
7.5  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 8 mA  
VGE = 0 V  
4.5  
6.5  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
0.1  
0.3  
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
V
CE = 1200 V  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
18.9  
1.24  
0.78  
1920  
2.00  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAL  
© by SEMIKRON  
Rev. 57 – 02.12.2008  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与SEMIX352GAL128DS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMIX352GAL128DS_08 SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GAR128DS SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128D SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128D_07 SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128DS SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128DS_06 SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128DS_07 SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX352GB128DS_08 SEMIKRON

获取价格

 		SPT IGBT Modules
SEMIX353GB126HD SEMIKRON

获取价格

 		Trench IGBT Modules
SEMIX353GB126HD_06 SEMIKRON

获取价格

 		Trench IGBT Modules

与SEMIX352GAL128DS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证