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SEMIX352GB128D

更新时间: 2024-02-06 16:42:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 1136K
描述
SPT IGBT Modules

SEMIX352GB128D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:CASE SEMIX 2S, 15 PIN针数:15
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.81外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):370 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码:R-XUFM-X15
JESD-609代码:e2元件数量:2
端子数量:15封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):675 ns标称接通时间 (ton):285 ns
Base Number Matches:1

SEMIX352GB128D 数据手册

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SEMiX 352GB128D  
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Values  
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SPT IGBT Modules  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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min.  
typ.  
max. Units  
SEMiX 352GB128D  
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Features  
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Typical Applications  
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'02  
GB  
1
15-06-2005 SEN  
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