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SEMiX305MLI12E4V2 PDF预览

SEMiX305MLI12E4V2

更新时间： 2023-12-06 20:09:46
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 1076K
描述
IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)

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SEMiX305MLI12E4V2 数据手册

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SEMiX305MLI12E4V2  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT1  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
451  
347  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
-20 ... 20  
SEMiX® 5  
VCC = 800 V, VGE ≤ 15 V, Tj = 150 °C,  
CES ≤1200 V  
tpsc  
10  
µs  
°C  
V
Tj  
-40 ... 175  
3-Level NPC IGBT-Module  
SEMiX305MLI12E4V2  
Features*  
IGBT2  
VCES  
IC  
Tj = 25 °C  
1200  
453  
348  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
-20 ... 20  
• Solderless assembling solution with  
PressFIT signal pins and screw power  
terminals  
VCC = 800 V, VGE ≤ 15 V, Tj = 150 °C,  
CES ≤ 1200 V  
tpsc  
Tj  
10  
µs  
°C  
V
-40 ... 175  
• IGBT 4 Trench Gate Technology  
• VCE(sat) with positive temperature  
coefficient  
Diode1  
VRRM  
IF  
Tj = 25 °C  
1200  
344  
257  
600  
1620  
V
A
A
A
A
• Low inductance case  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
• Reliable mechanical design with  
injection moulded terminals and  
reliable internal connections  
• UL recognized file no. E63532  
• NTC temperature sensor inside  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
-40 ... 175  
°C  
Typical Applications  
Diode2  
VRRM  
IF  
• Solar, Power Supply  
Tj = 25 °C  
1200  
344  
257  
V
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Remarks*  
• Case temperature limited to TC=125°C  
max.  
• Product reliability results valid for Tj  
≤150°C (recommended Tj,op=  
-40…+150°C)  
• IGBT1: outer IGBTs T1 & T4  
• IGBT2: inner IGBTs T2 & T3  
• Diode1: outer diodes D1 & D4  
• Diode2: inner diodes D2 & D3  
• Diode5: clamping diodes D5 & D6  
• For storage and case temperature with  
TIM see document “TP(HALA P8)  
SEMiX 5p”  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
600  
A
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1620  
A
-40 ... 175  
°C  
Diode5  
VRRM  
IF  
Tj = 25 °C  
1200  
344  
257  
V
A
A
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
IFRM  
IFSM  
Tj  
600  
A
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
1620  
A
-40 ... 175  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Footnotes  
340  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
1) Please find further technical information  
on the SEMIKRON website.  
module without TIM  
AC sinus 50Hz, t = 1 min  
Visol  
MLI  
© by SEMIKRON  
Rev. 1.0 – 18.02.2021  
1
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SEMIX305TMLI12E4B SEMIKRON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
SEMiX305TMLI17E4C SEMIKRON

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