Datasheet > 晶体管 > IGBT> SEMIX303GD12T4C

SEMIX303GD12T4C

更新时间： 2024-01-18 07:02:59

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	732K
描述
Trench IGBT Modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SEMIX303GD12T4C 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X29
针数：	29	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	465 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X29	元件数量：	6
端子数量：	29	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SEMIX303GD12T4C 数据手册

SEMiX 303GD12T4c

ꢋ

ꢏ ()*ꢕ/ ꢇꢆꢒꢅꢈꢈ ꢂꢑꢎꢅꢌꢙꢊꢈꢅ ꢈꢚꢅꢍꢊ ꢊꢅ#

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

ꢍꢐꢈꢅ

Values

Units

ꢔ_ꢕꢖꢉ

ꢋ_-ꢏ () *ꢕ

'(..

34)

ꢔ

1_ꢕ

ꢋ_-ꢏ '2) *ꢕ

ꢋ_ꢍꢏ () *ꢕ

ꢋ_ꢍꢏ 5. *ꢕ

64.

1_ꢕ78

ꢔ_:ꢖꢉ

ꢑ_ꢚꢈꢍ

1_ꢕ78ꢏ6+1_ꢕꢆꢂꢃ

9..

; (.

ꢔ

ꢔ_ꢕꢕꢏ 4.. ꢔ< ꢔ_:ꢖ= (. ꢔ< ꢋ_-ꢏ '). *ꢕ

ꢔꢕꢖꢉ > '(.. ꢔ

?ꢈ

SEMiX 33c

Inverse Diode

Trench IGBT Modules

1_@

ꢋ_-ꢏ '2) *ꢕ

ꢋ_ꢍꢏ () *ꢕ

ꢋ_ꢍꢏ 5. *ꢕ

63.

())

1_@78

1_@78ꢏ6+1_@ꢆꢂꢃ

9..

SEMiX 303GD12T4c

Module

1_{ꢑꢗ78ꢉꢘ}

4..

*ꢕ

ꢔ

ꢋ_ꢛ-

A 3. ,,, B '2)

A 3. ,,, B '()

3...

Target Data

ꢋ_ꢈꢑꢄ

ꢔ_ꢊꢈꢂꢒ

"ꢕ/ ' ꢃꢊꢆ,

Features

ꢋ

ꢏ ()*ꢕ/ ꢇꢆꢒꢅꢈꢈ ꢂꢑꢎꢅꢌꢙꢊꢈꢅ ꢈꢚꢅꢍꢊ ꢊꢅ#

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

ꢍꢐꢈꢅ

ꢁꢂꢃꢂꢄꢅꢆꢅꢂꢇꢈ ꢉꢊ

ꢋꢌꢅꢆꢍꢎ ꢏ ꢋꢌꢅꢆꢍꢎꢄꢐꢑꢅ ꢑꢅꢍꢎꢆꢂꢒꢂꢄꢓ

ꢀ

min.

typ.

max. Units

ꢔ

ꢙꢊꢑꢎ ꢚꢂꢈꢊꢑꢊꢛꢅ ꢑꢅꢃꢚꢅꢌꢐꢑꢇꢌꢅ

ꢕꢖꢗꢈꢐꢑꢘ

ꢍꢂꢅ ꢊꢍꢊꢅꢆꢑ

ꢔ_{:ꢖꢗꢑꢎꢘ}

ꢔ_:ꢖꢏ ꢔ_ꢕꢖ/ 1_ꢕꢏ '( ꢃ"

)

)/5

4/)

ꢔ

ꢁꢊꢄꢎ ꢈꢎꢂꢌꢑ ꢍꢊꢌꢍꢇꢊꢑ ꢍꢐꢚꢐ!ꢊꢒꢊꢑꢓ

ꢀ

1_ꢕꢖꢉ

ꢔ_:ꢖꢏ . ꢔ/ ꢔ_ꢕꢖꢏ ꢔ_ꢕꢖꢉ

ꢋ_-ꢏ () *ꢕ

ꢃ"

ꢔ

ꢔ_ꢕꢖ.

./5

./2

6/6

)

./9

./5

6/2

)/6

(

Typical Applications

"ꢕ ꢊꢆꢛꢅꢌꢑꢅꢌ #ꢌꢊꢛꢅꢈ

$%ꢉ

ꢋ_-ꢏ '). *ꢕ

ꢋ_-ꢏ ()*ꢕ

ꢔ

ꢀ

ꢌ_ꢕꢖ

ꢔ_:ꢖꢏ ') ꢔ

ꢃC

ꢔ

ꢖꢒꢅꢍꢑꢌꢂꢆꢊꢍ &ꢅꢒ#ꢊꢆꢄ

ꢋ_-ꢏ ').*ꢕ

ꢔ_{ꢕꢖꢗꢈꢐꢑꢘ}

1_ꢕꢆꢂꢃꢏ 6.. "/ ꢔ_:ꢖꢏ ') ꢔ ꢋ_-ꢏ ()*ꢕ_{ꢍꢎꢊꢚꢒꢅꢛ,}

ꢋ_-ꢏ ').*ꢕ_{ꢍꢎꢊꢚꢒꢅꢛ,}

'/5

(/(

Remarks

ꢕꢐꢈꢅ ꢑꢅꢃꢚꢅꢌꢐꢑꢇꢌꢅ ꢒꢊꢃꢊꢑꢅ# ꢑꢂ

(/3

ꢔ

ꢀ

ꢕ_ꢊꢅꢈ

'5/4

'/(

ꢆ@

ꢋ ꢏ'()*ꢕ ꢃꢐ+,

ꢕ

ꢕ_ꢂꢅꢈ

ꢔ_ꢕꢖꢏ ()/ ꢔ_:ꢖꢏ . ꢔ

ꢏ ' 8ꢁD

%ꢌꢂ#ꢇꢍꢑ ꢌꢅꢒꢊꢐ!ꢊꢒꢊꢑꢓ ꢌꢅꢈꢇꢒꢑꢈ ꢐꢌꢅ ꢛꢐꢒꢊ#

ꢀ

ꢕ_ꢌꢅꢈ

E_:

'/'

'2..

(/)

ꢆ@

ꢆꢕ

ꢂꢌ ꢋ ꢏ').*ꢕ

ꢔ_:ꢖꢏ A5 ,,, B')ꢔ

ꢋ_-ꢏ () *ꢕ

7_:ꢊꢆꢑ

ꢑ_{#ꢗꢂꢆꢘ}

ꢑ_ꢌ

ꢖ_ꢂꢆ

ꢑ_{#ꢗꢂ ꢘ}

ꢆꢈ

ꢃG

ꢆꢈ

7_:ꢂꢆꢏ C

7_:ꢂꢏ C

ꢔ_ꢕꢕꢏ ꢔ

1_ꢕꢆꢂꢃꢏ "

ꢋ_-ꢏ '). *ꢕ

ꢑ

ꢖ_ꢂ

ꢃG

7_{ꢑꢎꢗ-Aꢍꢘ}

ꢚꢅꢌ 1:Hꢋ

./.9)

IJ&

16-07-2007 SCH

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SEMIX303GD12T4C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SEMIX303GD12VC	SEMIKRON	获取价格	High short circuit capability
SEMiX305GD07E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 302A I(C), 650V V(BR)CES,
SEMiX305MLI12E4V2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX305TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES,
SEMiX305TMLI17E4C	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMiX 5p (130x70x17)
SEMIX341D	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Module (uncontrolled)
SEMIX341D16S	SEMIKRON	获取价格	Bridge Rectifier Module (uncontrolled)
SEMIX352GAL128DS	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Modules
SEMIX352GAL128DS_08	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Modules

与SEMIX303GD12T4C相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMIX303GD12T4C

SEMIX303GD12T4C 技术参数

SEMIX303GD12T4C 数据手册

与SEMIX303GD12T4C相关器件

与SEMIX303GD12T4C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SEMIX303GD12T4C

SEMIX303GD12T4C 技术参数

SEMIX303GD12T4C 数据手册

与SEMIX303GD12T4C相关器件

与SEMIX303GD12T4C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？